HMDS真空烤箱

一、HMDS 預處理係統的必要性：

    在半導體(ti) 生產(chan) 工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個(ge) 工藝環節，塗膠質量直接影響到光刻的質量，塗膠工藝顯得更為(wei) 重要。光刻塗膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而矽片表麵的羥基和殘留的水分子是親(qin) 水的，這造成光刻膠和矽片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會(hui) 侵入光刻膠和矽片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側(ce) 向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二矽氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS塗到矽片表麵後，經烘箱加溫可反應生成以矽氧烷為(wei) 主體(ti) 的化合物。它成功地將矽片表麵由親(qin) 水變為(wei) 疏水，其疏水基可很好地與(yu) 光刻膠結合，起著偶聯劑的作用。

二、產(chan) 品特點：

1、設備外殼采用SUS304不鏽鋼材質製作，內(nei) 膽為(wei) 不鏽鋼SUS316L材料製成；
   采用C型不鏽鋼加熱管,均勻分布在內(nei) 膽外壁，內(nei) 膽內(nei) 無任何電氣配件及易燃易爆裝置；
   箱門采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便於(yu) 觀察工作室內(nei) 物品生產(chan) 情況。

2、箱門閉合鬆緊能調節，整體(ti) 成型的矽橡膠門封圈，確保箱內(nei) 保持高真空度。

3、采用PID控製,係統具有自動控溫,定時,超溫報警等,采用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定。

4、智能觸摸屏控製係統采用PLC模塊可供用戶根據不同製程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。

5、HMDS氣體(ti) 密閉式自動吸取添加設計，使真空箱密封性能*，確保HMDS氣體(ti) 無外漏顧慮。

6、整個(ge) 內(nei) 部係統采用優(you) 質SUS316L不鏽鋼材料製作，無發塵材料，適用百級光刻間淨化環境。

三、產(chan) 品型號及參數：

設備型號：EHMDS-110

控溫範圍：RT+10～250℃

溫度分辨率：0.1℃

控溫精度：±0.5℃

隔板數量：2塊（標配）

真空度：<133Pa

真空泵：DM4（內(nei) 置連接）

設備電源：AC220/50HZ

額定功率：3.5KW

內(nei) 膽尺寸mm：450x450x550 （W*D*H）

外形尺寸mm：650x640x1010 （W*D*H）

四、HMDS係列預處理係統的原理：

    HMDS預處理係統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在矽片、基片表麵均勻塗布一層HMDS，降低了HMDS處理後的矽片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與(yu) 矽片的黏附性。

五、HMDS係列預處理係統的一般工作流程：

    首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為(wei) ：打開真空泵抽真空，待腔內(nei) 真空度達到某一高真空度後，開始充入氮氣，充到某低真空度後，再次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數後，開始保持一段時間，使矽片充分受熱，減少矽片表麵的水分。然後再次開始抽真空，充入HMDS氣體(ti) ，在到達設定時間後，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使矽片充分與(yu) HMDS反應。當達到設定的保持時間後，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個(ge) 作業(ye) 過程。HMDS與(yu) 矽片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除矽片表麵的水分，然後HMDS與(yu) 表麵的OH一反應，在矽片表麵生成矽醚，消除氫鍵作，從(cong) 而使極性表麵變成非極性表麵。整個(ge) 反應持續到空間阻止其進一步反應。

六、廢氣排放：

    多餘(yu) 的HMDS蒸汽（廢氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道，在無廢氣收集管道時需做專(zhuan) 門處理。

選配件：

1、增加HMDS液體(ti) 瓶

2、壓力記錄儀(yi) （帶曲線）

3、溫度記錄儀(yi) （帶曲線）